গাঢ় ধূসর পাউডার ভ্যানডিয়াম (Iv) অক্সাইড ক্যাস 12036-21-4

CAS:12036-21-4

আণবিক সূত্র:O2V

আণবিক ওজন:৮২.৯৪

EINECS:234-841-1

প্রতিশব্দ:ভ্যানডিয়াম অক্সাইড (VO2); ভ্যানাডিয়ামক্সাইড (vo2); VO2; ভ্যানডিয়াম টেট্রাঅক্সাইড; ভ্যানডিয়াম অক্সাইড; ভ্যানডিয়াম(IV) অক্সাইড; ভ্যানডিয়াম ডাইঅক্সাইড; ভ্যানডিয়াম(Ⅳ)অক্সাইড; ভ্যানডিয়াম (IV) অক্সাইড, 99.9%; ভ্যানডিয়াম(IV) অক্সাইড 98+%; ভ্যানডিয়াম (IV) অক্সাইড 99+%; ভ্যানডিয়াম (IV) অক্সাইড (ধাতুবেসিস); ভ্যানডিয়াম টেট্রোক্সাইড; ভ্যানডিয়াম (IV) অক্সাইড, 99.90%; ডিভানাডিয়াম টেট্রোক্সাইড; VanadiuM(IV) অক্সাইড 99.9% ট্রেস মেটাল বেসিস; ভ্যানডিয়াম(IV) অক্সাইড >=99% ট্রেস ধাতু ভিত্তিতে

আপনার বার্তা ছেড়ে দিন

পণ্য বিস্তারিত

ডাউনলোড করুন

পণ্য ট্যাগ

ভ্যানডিয়াম(Iv) অক্সাইড ক্যাস 12036-21-4 কি?

ভ্যানডিয়াম ডাই অক্সাইড (VO2) একটি দৃঢ়ভাবে সম্পর্কযুক্ত ইলেক্ট্রন সিস্টেম বাইনারি অক্সাইড। এর অভ্যন্তরীণ ইলেকট্রন, অরবিটাল, জালি এবং ঘূর্ণনের মধ্যে শক্তিশালী মিথস্ক্রিয়াগুলির কারণে, ছোট বাহ্যিক উদ্দীপনার কারণে স্থানীয় ইলেকট্রন এবং স্ফটিক কাঠামোর পরিবর্তনগুলি VO2 কে বিপরীত ধাতু রূপান্তর করতে প্ররোচিত করতে পারে। স্ফটিক গঠন, প্রতিরোধ, ইনফ্রারেড ট্রান্সমিট্যান্স, প্রতিসরাঙ্ক সূচক এবং VO2 এর চৌম্বক সংবেদনশীলতা নাটকীয়ভাবে পরিবর্তিত হয়। ঘরের তাপমাত্রার কাছাকাছি ফেজ ট্রানজিশন তাপমাত্রা এবং ফেজ ট্রানজিশনের আগে এবং পরে ভৌত ও রাসায়নিক বৈশিষ্ট্যের আকস্মিক পরিবর্তনের কারণে VO2 ইলেকট্রনিক্স, সামরিক, দৈনন্দিন জীবন এবং অন্যান্য ক্ষেত্রে খুব বিস্তৃত প্রয়োগের সম্ভাবনা রয়েছে।

স্পেসিফিকেশন

ITEM	Sটেন্ডার
চেহারা	গাঢ় ধূসর পাউডার
কণার আকার	100-200nm
Si	11 পিপিএম
Fe	23 পিপিএম
S	20 পিপিএম
As	10 পিপিএম
Cr	15 পিপিএম
Na	20 পিপিএম
K	24 পিপিএম
Cl	13 পিপিএম
Zr	5 পিপিএম
Al	7 পিপিএম
বিষয়বস্তুt	≥99.9%

আবেদন

1. অ্যাপ্লিকেশন সুযোগ বুদ্ধিমান শক্তি-সঞ্চয় জানালা, লক্ষ্য ছদ্মবেশ, তাপ সংশোধন, RF সুইচ, অনুরণনকারী, ড্রাইভার, তাপমাত্রা সংবেদনশীল ডিভাইস, এবং ক্ষেত্র নির্গমন ডিভাইস অন্তর্ভুক্ত;
2.Photoindused VO2 ফেজ ট্রানজিশন দ্রুত এবং সুবিধাজনক, যা ফেজ ট্রানজিশন ডাইনামিক প্রক্রিয়া অধ্যয়নের জন্য উপকারী। সম্পর্কিত ডিভাইস অ্যাপ্লিকেশনগুলির মধ্যে রয়েছে অপটিক্যাল স্টোরেজ, সমস্ত অপটিক্যাল সুইচ, ফটোডিটেক্টর, ফটোট্রান্সিস্টর ইত্যাদি;
3. বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র প্ররোচিত VO2 ফেজ পরিবর্তন ডিভাইসের একটি সাধারণ কাঠামো এবং ব্যাপক প্রয়োগের সম্ভাবনা রয়েছে। এটি বৈদ্যুতিক সুইচ, ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর, ইলেকট্রনিক অসিলেটর, মেমরিস্টর, আরএফ সুইচ, ইলেক্ট্রো-অপ্টিক মডুলেটর ইত্যাদি হিসাবে ব্যবহার করা যেতে পারে;
4. ইলেক্ট্রোকেমিক্যাল অবস্থার অধীনে আয়ন ডোপিং এবং ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক প্রভাব দ্বারা সৃষ্ট VO2 ফেজ ট্রানজিশন আয়নিক তরল ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর এবং ইলেক্ট্রোক্রোমিক ডিভাইসগুলিতে ব্যবহার করা যেতে পারে;
5. স্ট্রেস VO2 জালির ধ্রুবককে পরিবর্তন করবে, এইভাবে এর বৈদ্যুতিন কাঠামো পরিবর্তন করে ফেজ ট্রানজিশন ঘটাবে, এবং একটি নমনীয় স্ট্রেস সেন্সর হিসাবে ব্যবহার করা যেতে পারে;
6. VO2 এর চৌম্বকীয় সংবেদনশীলতাও ফেজ ট্রানজিশন প্রক্রিয়ায় আকস্মিকভাবে পরিবর্তিত হবে, যা এটিকে চৌম্বকীয় হিমায়ন এবং স্পিনট্রনিক ডিভাইসের ক্ষেত্রে সম্ভাব্য মূল্যবান করে তোলে।